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2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介 一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区 ...2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介
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2023年2月15日 摘要. 碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新 化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 - 电子工程专辑 EE ...2023年2月15日 摘要. 碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新
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2024年5月31日 SiC JTE（结延伸区）是用于改善硅碳化物（SiC）功率器件电压阻断能力的结构。 SiC JTE的设计对于实现所需的击穿电压并避免因器件边缘处高电场而导致的过早 一文为您揭秘碳化硅芯片的设计和制造 - 电子工程专辑 EE ...2024年5月31日 SiC JTE（结延伸区）是用于改善硅碳化物（SiC）功率器件电压阻断能力的结构。 SiC JTE的设计对于实现所需的击穿电压并避免因器件边缘处高电场而导致的过早
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6 天之前 摘要. 碳化硅衬底难加工的材料特性叠加其大尺寸化、超薄化的放大效应，给现有的加工技术带来了巨大的挑战，高效率、高质量的碳化硅衬底加工技术成了当下的研究热 碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 - 艾邦半导体网6 天之前 摘要. 碳化硅衬底难加工的材料特性叠加其大尺寸化、超薄化的放大效应，给现有的加工技术带来了巨大的挑战，高效率、高质量的碳化硅衬底加工技术成了当下的研究热
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2023年8月8日 控制碳化硅外延缺陷方法：一是谨慎选择碳化硅衬底材料；二是设备选择及国产化；三是工艺技术。 SiC外延技术进展情况 在低、中压领域，目前外延片核心参数 碳化硅晶圆产业链的核心：外延技术 - 电子工程专辑 EE ...2023年8月8日 控制碳化硅外延缺陷方法：一是谨慎选择碳化硅衬底材料；二是设备选择及国产化；三是工艺技术。 SiC外延技术进展情况 在低、中压领域，目前外延片核心参数
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2022年8月24日 碳化硅生产流程主要涉及以下过程： 1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等 新能源｜碳化硅产业链研究（产业链篇）_器件_工艺流程_外延2022年8月24日 碳化硅生产流程主要涉及以下过程： 1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等
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2022-05-11. 来源：中国粉体网 山川. 37929人阅读. 标签 长晶炉 碳化硅 晶片 碳化硅微粉 碳化硅晶片. [导读] 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉. 还有2页，登录查看全 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉-一张图-资讯 ...2022-05-11. 来源：中国粉体网 山川. 37929人阅读. 标签 长晶炉 碳化硅 晶片 碳化硅微粉 碳化硅晶片. [导读] 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉. 还有2页，登录查看全
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碳化硅产品是硅（Si）和碳（C）1比1结合而成的一种化合物，具有较高的抗磨损性、耐热性和耐腐蚀性。 它们被广泛地应用于半导体材料的制造过程中需要的晶圆舟、管和代替硅片的仿真晶圆，也广泛运用于高温时使用的 Ferrotec全球 - 气相沉积碳化硅产品（CVD-SiC)碳化硅产品是硅（Si）和碳（C）1比1结合而成的一种化合物，具有较高的抗磨损性、耐热性和耐腐蚀性。 它们被广泛地应用于半导体材料的制造过程中需要的晶圆舟、管和代替硅片的仿真晶圆，也广泛运用于高温时使用的
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1 天前 碳化硅衬底加工过程中，除了改善切割工艺外，一般还会在切割时会留有余量，以便在后续研磨抛光过程中减小TTV、BOW、Warp的数值。 -END- 为了促进行业交流和发展，艾邦新建碳化硅功率半导体产业链微信群，欢迎碳化硅前道材料与加工设备，后道器件生产和模块封装的行业朋友一起加入讨论。 碳化硅晶圆减薄工艺中的重要指标 - 艾邦半导体网1 天前 碳化硅衬底加工过程中，除了改善切割工艺外，一般还会在切割时会留有余量，以便在后续研磨抛光过程中减小TTV、BOW、Warp的数值。 -END- 为了促进行业交流和发展，艾邦新建碳化硅功率半导体产业链微信群，欢迎碳化硅前道材料与加工设备，后道器件生产和模块封装的行业朋友一起加入讨论。
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2022年8月24日 碳化硅生产流程主要涉及以下过程：. 1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成单晶薄片，也即半导体衬底材料；. 3）外延片环节，通常使用化学气相沉积（CVD）方法 ... 新能源｜碳化硅产业链研究（产业链篇）_器件_工艺流程_外延2022年8月24日 碳化硅生产流程主要涉及以下过程：. 1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成单晶薄片，也即半导体衬底材料；. 3）外延片环节，通常使用化学气相沉积（CVD）方法 ...
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2023年11月16日 碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。 碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发，以促使碳化硅器件耐高压、大电流功能的实现。 碳化硅器件制造工艺流程2023年11月16日 碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。 碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发，以促使碳化硅器件耐高压、大电流功能的实现。
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1 天前 通过对现有碳化硅衬底磨抛技 术的总结及分析，未来碳化硅衬底磨抛加工技术的 发展将集中在工艺参数的优化、新磨料及抛光液的 研究、加工设备的自动化和智能化发展、环保加工方 法的开发、多尺度磨抛加工以及跨学科研究等方面. 碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 - 艾邦半导体网1 天前 通过对现有碳化硅衬底磨抛技 术的总结及分析，未来碳化硅衬底磨抛加工技术的 发展将集中在工艺参数的优化、新磨料及抛光液的 研究、加工设备的自动化和智能化发展、环保加工方 法的开发、多尺度磨抛加工以及跨学科研究等方面.
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2023年11月10日 详解碳化硅PVT长晶工艺. 一般认为利用PVT法生长碳化硅晶体需重点关注以下几点：. 1、籽晶极性及晶型种类的选择。. 研究证实，决定单一4H晶型稳定生长的关键因素为籽晶极性，通常C面可用于制备4H-SiC晶型，而Si面则用于制备6H-SiC晶型，且与籽晶晶 详解碳化硅PVT长晶工艺2023年11月10日 详解碳化硅PVT长晶工艺. 一般认为利用PVT法生长碳化硅晶体需重点关注以下几点：. 1、籽晶极性及晶型种类的选择。. 研究证实，决定单一4H晶型稳定生长的关键因素为籽晶极性，通常C面可用于制备4H-SiC晶型，而Si面则用于制备6H-SiC晶型，且与籽晶晶
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2022年5月11日 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉. 2022-05-11. 来源：中国粉体网 山川. 37929人阅读. 标签 长晶炉 碳化硅 晶片 碳化硅微粉 碳化硅晶片. [导读] 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉. 还有2页，登录查看全文. 推荐 9. 作者：山川. 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉-一张图-资讯 ...2022年5月11日 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉. 2022-05-11. 来源：中国粉体网 山川. 37929人阅读. 标签 长晶炉 碳化硅 晶片 碳化硅微粉 碳化硅晶片. [导读] 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉. 还有2页，登录查看全文. 推荐 9. 作者：山川.
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2024年5月7日 干货丨碳化硅离子注入和退火工艺介绍. 传统的硅功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有优缺点。. 一般来说，高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布轮廓为等向性，且高温扩散工艺引入的晶格损伤低。. 离子注入工艺复杂且 干货丨碳化硅离子注入和退火工艺介绍 - 电子工程专辑 EE ...2024年5月7日 干货丨碳化硅离子注入和退火工艺介绍. 传统的硅功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有优缺点。. 一般来说，高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布轮廓为等向性，且高温扩散工艺引入的晶格损伤低。. 离子注入工艺复杂且
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2023年7月14日 与此同时，国内外产业模式的差异，技术差距、设备挑战以及国内碳化硅器件中低端“互卷”等问题，都一一成为摆在我国碳化硅产业链发展面前的难题。. 碳化硅“狂飙”. 上文提到，从产业链层面初步划分，整个SiC产业链主要分为衬底、外延、设计、器件和 ... 碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus_2023年7月14日 与此同时，国内外产业模式的差异，技术差距、设备挑战以及国内碳化硅器件中低端“互卷”等问题，都一一成为摆在我国碳化硅产业链发展面前的难题。. 碳化硅“狂飙”. 上文提到，从产业链层面初步划分，整个SiC产业链主要分为衬底、外延、设计、器件和 ...
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2024年6月6日 某大型机械设备公司CVD碳化硅工艺工程师招聘，薪资：40-70K，地点：北京，要求：3-5年，学历：硕士，福利：五险一金、定期体检、加班补助、带薪年假、员工旅游、餐补、节日福利、零食下午茶、团建聚餐、包吃，猎头顾问刚刚在线，随时随地直接开聊。 「CVD碳化硅工艺工程师招聘」_某大型机械设备公司招聘 ...2024年6月6日 某大型机械设备公司CVD碳化硅工艺工程师招聘，薪资：40-70K，地点：北京，要求：3-5年，学历：硕士，福利：五险一金、定期体检、加班补助、带薪年假、员工旅游、餐补、节日福利、零食下午茶、团建聚餐、包吃，猎头顾问刚刚在线，随时随地直接开聊。
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2024年2月26日 碳化硅籽晶粘接技术是一种利用碳化硅 particles 在高温下熔融对SiC进行粘接的技术。. 1、在加热设备中，将SiC的粘接部件置于籽晶粘接剂的上方，籽晶粘接剂处于高温状态下。. 2、碳化硅 particles 被逐渐加入籽晶粘接剂的上部，同时粘接部件被置于其中 超声喷涂——碳化硅籽晶粘接工艺 - 上海央米智能科技有限公司2024年2月26日 碳化硅籽晶粘接技术是一种利用碳化硅 particles 在高温下熔融对SiC进行粘接的技术。. 1、在加热设备中，将SiC的粘接部件置于籽晶粘接剂的上方，籽晶粘接剂处于高温状态下。. 2、碳化硅 particles 被逐渐加入籽晶粘接剂的上部，同时粘接部件被置于其中
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2024年3月12日 苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺，于2019年 碳化硅设备研发、生产、销售企业-苏州优晶半导体科 2024年3月12日 苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺，于2019年
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2023年10月22日 SJ 21629-2021碳化硅(SiC)外延生长设备工艺验证方法 下载积分：1200 内容提示： 文档格式：PDF 页数：24 浏览次数：31 上传日期：2023-10-22 19:24:06 文档星级： 阅读了该文档的用户还阅读了这些文档 ... SJ 21629-2021碳化硅(SiC)外延生长设备工艺验证方法 - 道客巴巴2023年10月22日 SJ 21629-2021碳化硅(SiC)外延生长设备工艺验证方法 下载积分：1200 内容提示： 文档格式：PDF 页数：24 浏览次数：31 上传日期：2023-10-22 19:24:06 文档星级： 阅读了该文档的用户还阅读了这些文档 ...
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碳化硅冷凝器11设备工艺原理-3.抗氧化性能强，能够在高温环境下抵抗氧化反应的影响，从而延长使用寿命。4. 维修简单，可重复使用，降低了设备故障率和维修成本。碳化硅冷凝器被广泛应用于金属热处理、高温炉拱顶和包覆板等领域。其具有优异的耐 ... 碳化硅冷凝器11设备工艺原理_百度文库碳化硅冷凝器11设备工艺原理-3.抗氧化性能强，能够在高温环境下抵抗氧化反应的影响，从而延长使用寿命。4. 维修简单，可重复使用，降低了设备故障率和维修成本。碳化硅冷凝器被广泛应用于金属热处理、高温炉拱顶和包覆板等领域。其具有优异的耐 ...
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2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会. 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。. 今年发布的“‘十四五’规划和 ... 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 - 国家自然科学基金 ...2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会. 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。. 今年发布的“‘十四五’规划和 ...
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2021年8月18日 ZHANG等利用自制的3D打印设备采用自由挤出成型技术进行了复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的探索，高固含量的浆料有利于成型，可减少浆料干燥时开裂的可能性并提高烧结后陶瓷的强度，但会增加挤出难度。目前，3D打 复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的研究进展_烧结2021年8月18日 ZHANG等利用自制的3D打印设备采用自由挤出成型技术进行了复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的探索，高固含量的浆料有利于成型，可减少浆料干燥时开裂的可能性并提高烧结后陶瓷的强度，但会增加挤出难度。目前，3D打
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2023年12月8日 在SiC制造领域，高温离子注入机、金属有机化合物化学气相沉淀MOCVD以及栅氧制备设备是SiC领域的三大核心设备。. 在团队全力攻关下，衍梓装备成功推出低缺陷SiC栅极氧化层制备设备。. 碳化硅器件在极端工作条件下的可靠性对于保证系统的稳定运行 衍梓装备：业内首款改进工艺SiC栅氧制备设备_2023年12月8日 在SiC制造领域，高温离子注入机、金属有机化合物化学气相沉淀MOCVD以及栅氧制备设备是SiC领域的三大核心设备。. 在团队全力攻关下，衍梓装备成功推出低缺陷SiC栅极氧化层制备设备。. 碳化硅器件在极端工作条件下的可靠性对于保证系统的稳定运行
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开幕大会现场. 2023年5月5日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”在长沙盛大召开。. 论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所等单位联合组织。. 开幕大会现场. 顺利开幕-2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术 ...开幕大会现场. 2023年5月5日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”在长沙盛大召开。. 论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所等单位联合组织。. 开幕大会现场.
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2023年8月8日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。 碳化硅晶圆产业链的核心：外延技术 - 电子工程专辑 EE ...2023年8月8日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。
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